准确率98％！三星全世界首秀MRAM磁阻内存内计算

Galaxy半导体达成协议，通过在结构上创新性，付诸了基于MRAM(电磁铁举例来说存储器)的内核内推算(In-Memory Computing)，全面拓展了Galaxy的下一代DRAM人工智能晶片技术的基础性领域。

在传统观念的推算基本概念之前，内核之前的数据集要转移到处理晶片的数据集推算单元之前进行处理，对于比特率、信道承诺非常较高。

内核内推算则是一种新的推算Mode，也可以比如说“存算区域性”，在内核之前同时拒绝执行数据集存储、数据集推算处理，无需间歇静止数据集。

同时，内核网络之前的数据集处理是以较高度适配的方式拒绝执行，因此提较高效能的同时，还能大大降DRAM。

对比其他存储器，MRAM电磁铁内核在运行速度、寿命、量产方面都有值得注意绝对优势，时脉也已远低于传统观念DRAM，关键是还具有非易失的特性，即断电不会丢失数据集。

不过一直以来，MRAM电磁铁内核很难用于内核内推算，因为它在标准规范的内核内推算基本概念在结构上之前无法充分发挥DRAM绝对优势。

Galaxy研究课题一个团队设计了一种名为“电阻总和”(resistance sum)的新型内核内推算基本概念在结构上，取代标准规范的“电流总和”(current-sum)基本概念在结构上，急于开发新了一种能幻灯片内核内推算基本概念在结构上的MRAM感测器晶片，定名为“用于内核内推算的电磁铁内核交叉感测器”(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。

这一感测器急于克服了单个MRAM电路的小电阻问题，从而降DRAM，付诸了基于MRAM的内核内推算。

按照Galaxy的传闻，在拒绝执行AI推算时，MRAM内核内推算可以实在98％的笔迹比对急于率、93％的人脸比对对照组。